Una nueva técnica basada en radiación de terahercios ha sido desarrollada por físicos de la Universidad de Bielefeld y el Instituto Leibniz IFW Dresden, permitiendo el control ultrarrápido de semiconductores con grosor atómico.
Las antenas nanométricas utilizan la luz de terahercios
El núcleo de esta técnica basada en antenas 3D-2D diseñadas para convertir pulsos de luz THz en campos eléctricos verticales dentro del material. Dichos campos, con intensidades de varios megavoltios por centímetro, logran modificar las propiedades electrónicas del disulfuro de molibdeno (MoS₂), un semiconductor ultrafino ampliamente investigado por sus cualidades ópticas.
El uso de luz de terahercios permite alterar la estructura electrónica en escalas de tiempo inferiores a un billonésimo de segundo. Esto representa una mejora considerable frente a los métodos convenciales, que emplean puertas electrónicas más lentas. La señal de control se genera directamente dentro del semiconductor, eliminando intermediarios electrónicos.
El estudio fue liderado por el Dr. Dmitry Turchinovich, con colaboración clave del Dr. Tomoki Hiraoka, quien mencionó el comportamiento coherente y fuerte del efecto inducido por la luz. La fabricación de las antenas estuvo a cargo del equipo del Dr. Andy Thomas en IFW Dresden, tras numerosos intentos por optimizar su estructura.
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Fuente y foto: Bielefeld University
